Samsung Galaxy S 4G LTE
Samsung Galaxy S 4G LTE | |
---|---|
Üretici | Samsung Electronics |
İşletim sistemi | TouchWiz 3.0 kullanıcı arayüzü bulunan Android 2.2.1 Froyo (Android 2.3.6 Gingerbread sürüm güncellemesi mevcut) |
Hafıza | 2 GB dahili depolama |
Bellek | 512 MB RAM |
Ağ | Çift bant CDMA2000 EV-DO Rev. A: 800/1900 MHz LTE: 750 MHz |
Çıkış tarihi | 14 Mayıs 2011 (Verizon Wireless) |
Batarya | 1600 mAh batarya |
Veri girişi | Çoklu dokunmatik kapasitif ekran 6 eksenli ivmeölçer 3 eksenli jiroskop Dijital pusula Yakınlık sensörü Ortam ışığı sensörü |
Fiziksel büyüklük | 122.4 x 64.2 x 9.9 mm (Uzunluk x Genişlik x Kalınlık) (Kamera çıkıntısı dahil 14 mm kalınlık) |
Ekran | 4.3 inç (110 mm) Super AMOLED Plus ekran; 480x800 (WVGA) çözünürlük, 217 ppi |
İşlemci | 1 GHz hızında ARM Cortex-A8 işlemci |
Bağlantı | Wi-Fi 802.11 b/g/n Bluetooth 3.0 USB 2.0 DLNA TV out A-GPS |
Diğer | Entegre mesajlaşma Social Hub Android Market (Play Store) Video mesajlaşma E-posta (Exchange) ActiveSync (Aktif eşitleme) Sesli komut RSS okuyucu Widgetlar |
İlişkili | Samsung Galaxy S |
Samsung Galaxy S 4G LTE; Droid Charge (Verizon), Galaxy S Aviator (U.S. Cellular) ve Galaxy S Lightray (MetroPCS, DyleTV de bulunur) olarak da bilinir; Samsung tarafından üretilmiş, Android işletim sistemini kullanan bir akıllı telefondur. Cihazda 1 GHz hızında "Hummingbird" işlemci, ön ve arka kamera, CDMA ve 4G LTE ağ desteği bulunur. Cihaz, CES 2011'de Samsung Galaxy S 4G LTE cihazı adıyla duyurulmuştur. Cihaz, Verizon Wireless'tan satın alınabilmekteydi.
Özellikler
[değiştir | kaynağı değiştir]Donanım
[değiştir | kaynağı değiştir]Samsung Galaxy S 4G LTE'de 45 nm üretim işlemiyle üretilmiş, 1 GHz hızında ARM Cortex-A8 tabanlı işlemcisi ve Imagination Technologies tarafından üretilmiş PowerVR SGX540 grafik işlemcisi bulunan Samsung S5PC110 yongada sistemi[1][2][3] bulunur; grafik işlemci OpenGL ES 1.1/2.0'ı destekler[4] ve saniyede 90 milyona kadar üçgen oluşturabilir.[5] Cihazdaki "Hummingbird" kod adlı işlemci, Samsung ve Intrinsity tarafından ortak geliştirilmiştir.[6]
Samsung Galaxy S 4G LTE, standart QWERTY giriş yöntemlerine ek olarak Swype teknolojisini kullanır.
Samsung Galaxy S 4G LTE'de 8 megapiksel arka kamera ve 1.3 megapiksel ön kamera bulunur.
Samsung Galaxy S 4G LTE'de kırılmaya ve çizilmeye dayanıklı bir malzeme olan Gorilla Glass'la korunan 4.3 inç (110 mm) Super AMOLED Plus dokunmatik ekran bulunur. Cihazın ekranı, standart RGB deseni bulunan Samsung üretimi bir ekrandır. Cihazın ekranının WVGA (480x800) çözünürlüğü bulunur.
Yazılım
[değiştir | kaynağı değiştir]Samsung Galaxy 4G LTE, Samsung'un kulanıcı arayüzü TouchWiz bulunan Android 2.2.1 Froyo işletim sistemiyle kutudan çıkar. Haziran 2011'de yayınlanan EE4 güncellemesi, cihazdaki bazı ufak hataları düzeltmek için yayınlanmıştır. Aralık 2011'in başlarında, EP4 güncellemesiyle cihazlara Android 2.3.6 Gingerbread işletim sistemi sürümü gönderilmeye başlanmıştır. Daha sonraki güncellemelerin kod adları "FP5" ve "FP8"dir. Gingerbread, Galaxy S 4G LTE için geliştirilen sonuncu Android sürümüdür; Samsung, (TouchWiz kullanıcı arayüzü bulunan) bir Android güncellemesinin, cihazın dahili depolamasına sığmayacağını belirterek cihaz için hiçbir zaman yeni Android sürüm güncellemesi yayınlamamıştır.
Ayrıca bakınız
[değiştir | kaynağı değiştir]Kaynakça
[değiştir | kaynağı değiştir]- ^ "Samsung Hummingbird S5PC110 / Exynos 3110". notebookcheck.net. 9 Ocak 2013 tarihinde kaynağından arşivlendi.
- ^ "Exynos 3110 - Samsung". wikichip.org. 16 Şubat 2022 tarihinde kaynağından arşivlendi.
- ^ "Exynos 3 Single 3110". semiconductor.samsung.com. 16 Şubat 2022 tarihinde kaynağından arşivlendi.
- ^ Imagination Technologies Ltd. "POWERVR Graphics". 29 Şubat 2008 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 1 Eylül 2010.
- ^ "SAMSUNG S5PC110 - ARM Cortex A8 based Mobile Application Processor". Samsung. 16 Temmuz 2011 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 17 Şubat 2011.
- ^ Samsung (27 Temmuz 2009). "SAMSUNG and Intrinsity Jointly Develop the World's Fastest ARM Cortex-A8 Processor Based Mobile Core in 45 Nanometer Low Power Process". 1 Nisan 2010 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 1 Eylül 2010.