İkincil iyon kütle spektrometrisi
Görünüm
İkincil iyon kütle spektrometrisi (Secondary-ion mass spectrometry-SIMS), numunenin yüzeyini odaklanmış bir birincil iyon ışınıyla püskürterek ve ortaya çıkan ikincil iyonları toplayıp analiz ederek katı yüzeylerin ve ince filmlerin bileşimini analiz etmek için kullanılan bir tekniktir. İkincil iyonların kütle/yük oranları bir kütle spektrometresi ile ölçülürek yüzeyin temel, izotopik veya moleküler bileşimini 1 ila 2 nm derinliğe kadar belirlenebilir. SIMS, ppm'den ppb'ye kadar değişen temel algılama sınırlarıyla en hassas yüzey analizi tekniğidir.
Kaynakça
[değiştir | kaynağı değiştir]Bibliyografi
[değiştir | kaynağı değiştir]- Benninghoven, A., Rüdenauer, F. G., Werner, H. W., "Secondary Ion Mass Spectrometry: Basic Concepts, Instrumental Aspects, Applications, and Trends", Wiley, New York, 1987 (1227 pages) 0-471-51945-6
- Vickerman, J. C., Brown, A., Reed, N. M., "Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications", Clarendon Press, Oxford, 1989 (341 pages) 0-19-855625-X
- Wilson, R. G., Stevie, F. A., Magee, C. W., "Secondary Ion Mass Spectrometry: A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis", John Wiley & Sons, New York, 1989 0-471-51945-6
- Vickerman, J. C., Briggs, D., "ToF-SIMS: Surface Analysis by Mass Spectrometry", IM Publications, Chichester UK and SurfaceSpectra, Manchester UK, 2001 (789 pages) 1-901019-03-9
- Bubert, H., Jenett, H., "Surface and Thin Film Analysis; A compendium of Principles, Instrumentation, and Applications", p. 86-121, Wiley-VCH, Weinheim, Germany 2002 3-527-30458-4
Dış bağlantılar
[değiştir | kaynağı değiştir]- Tutorial pages for SIMS theory 11 Haziran 2016 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi. and instrumentation 12 Mayıs 2007 tarihinde Wayback Machine sitesinde arşivlendi.